半導体研究開発

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仕事内容	・超高速・高感度CMOSイメージセンサのコア部アナログ開発設計・上記イメージセンサにおけるフォトダイオードを中心としたデバイス設計 ※経験者のみ
応募条件	大学卒業以上　25歳～35歳 5年以上経験者優遇* ・Ａ／ＤＣ回路設計・半導体デバイス設計・低消費電力アナログ回路設計必要免許等普通自動車免許　パスポート
勤務地	イーエヌジー株式会社福岡県北九州市若松区青葉台西6丁目2-9